高頻元件用

獨特金屬成膜技術搭配客製化材枓夾層、通孔及低介電損耗製作，可提供高頻、高速、低阻抗與良好元件壽命週期之訊息傳遞架構，以確保訊息穩定性及完整性。

氮化鋁陶瓷電路版、使用薄膜技術製成，可運用在工業通訊等集成散熱電路屬用。

wafer image

特點

採用具備高頻、高速、低阻抗、高散熱係數和高絕緣基板進行金屬鍵合製程
可調配金屬層與基板厚度的最佳配比，適用於多種高頻元件的熱膨脹係數(CTE)需求
可提供客製化材枓夾層、通孔及低介電損耗基板製作
可提供各種與系統阻抗匹配之薄膜電阻(TaXN)
可提供焊料各類客製化圖形設計
基板可選擇材料： Al₂O₃、AlN
金屬可選擇材料： Ti、Cu、Au、Pt、Pd、W、AuSn

應用領域

To-can封裝元件
Vcsel封裝元件
高頻通訊產品：光收發模組(TOSA、ROSA)、5G基地台等