高频元件用

獨特金屬成膜技術搭配客製化材枓夾層、通孔及低介電損耗製作,可提供高頻、高速、低阻抗與良好元件壽命週期之訊息傳遞架構,以確保訊息穩定性及完整性。

氮化鋁陶瓷電路版、使用薄膜技術製成,可運用在工業通訊等集成散熱電路屬用。

wafer image

特點

  • 采用具备高频、高速、低阻抗、高散热系数和高绝缘基板进行金属键合制程
  • 可调配金属层与基板厚度的最佳配比,适用于多种高频元件的热膨胀系数(CTE)需求
  • 可提供客制化材枓夹层、通孔及低介电损耗基板制作
  • 可提供各种与系统阻抗匹配之薄膜电阻(TaXN)
  • 可提供焊料各类客制化图形设计
  • 基板可選擇材料: Al₂O₃、AlN
  • 金属可选择材料: Ti、Cu、Au、Pt、Pd、W、AuSn

應用領域

  • To-can封装元件
  • Vcsel封裝元件
  • 高頻通訊產品:光收發模組(TOSA、ROSA)、5G基地台等
Connection failed. Try reloading the page.